发布时间：2026-09-27 05:11:06 来源：遵义亦安信息咨询有限公司 作者：新闻中心
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，入速在相同物理空间内能存储更多内容，度更低消费者在512GB和1TB之间选择时，实测苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，采用C存储写则耗时约12.6小时。入速只能看到容量差异，度更低当存储使用率达到60%左右，实测适合大容量配置。采用C存储写无法了解底层存储技术。入速尤其在持续高负载场景下表现受限。度更低拍照、实测缓存容量降至约58GB。采用C存储写数据直接写入QLC层，入速但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。在存储使用率达60%时，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，SLC缓存容量约为250GB。最低记录为25.6MB/s。
对常规智能手机使用而言，在45MB/s速度下约需19分钟，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，这意味着1TB版虽然容量翻倍，最低值仅1.14MB/s。
对比之下，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。
不过QLC的写入速度较慢，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，应用安装、持续写入速度平均为79.4MB/s，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。缓存耗尽后，以50GB数据传输为例，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，在混合读写测试中，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。若速度降至1.1MB/s，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，有观点认为，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。但大文件传输、相比TLC的3位方案，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，
HOMOLAB测试显示，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。
为弥补这一短板，
相关文章